国家/地区 美国（164） 中国（27） 世界知识产权组织（27） 德国（19） 英国（17） 台湾（9） 日本（8） 韩国（5） 印度（4） 加拿大（3） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 H（166） B（61） C（23）
G（20）
IPC大类 H01（166）
IPC小类 H01L（154） B82Y（51） C01B（14）
G01N（13） B32B（12） H01B（8）
H01M（6） H05K（6） C23C（5）
C23F（4） C07C（3） C08F（3）
H01Q（3） B05D（2） B44C（2）
IPC H01L029/16（52） H01L021/02（41） H01L029/66（40）
H01L029/78（38） H01L029/06（37） H01L021/336（35）
B82Y040/00（34） H01L029/786（31） H01L021/04（21）
B82Y099/00（20） H01L021/768（19） H01L021/20（18）
H01L051/05（17） B82Y010/00（16） B82Y030/00（15）
发明人 DIMITRAKOPOULOS C D（30） HAN S（27） GRILL A（23）
FARMER D B（22） LIN Y（19） AVOURIS P（17）
AFZALIARDAKANI A（15） FRANKLIN A D（15） SMITH J T（14）
TULEVSKI G S（12） MCARDLE T J（11） PFEIFFER D（11）
DIMITRAKOPOULOS C（10） MAAROUF A（10） MARTYNA G J（10）
公开年 2013（40） 2014（34） 2012（27） 2015（17） 2011（9） 2016（7） 2017（6） 2021（6） 2018（4） 2022（4） 2010（3） 2020（3） 2023（3） 2019（2）
申请年 2012（54）  2013（23）  2011（17）  2010（14）  2015（13）  2014（10）  2016（8）  2019（7）  2021（5）  2017（4）  2009（3）  2020（3）  2018（2） 
专利权人 INT BUSINESS MACHINES CORP（166）

FET for integrated circuit in computer, has dielectric layer for separating gate from channel, conductive liner provided with female portions that contact knobs of channel and gate located on opposite sides of stacked channels.

GAUL A, PARK C, CHENG K, XIE R, FROUGIER J

Fabricating semiconductor device involves removing first conductor from second set of trenches using etching process, where graphene layer acts as etch stop, and depositing second conductor in second set of trenches, where second conductor is different than first conductor.

PRANATHARTHIHARAN B, NGUYEN S, NOGAMI T

Forming dual damascene structure on semiconductor substrate, involves selectively depositing carbon layer on exposed metal surface.

PARBATANI A, VAN SCHRAVENDIJK B J, VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SRINIVASAN E, SHARMA K, KNARR R, SCHMITZ S, RAMANAN V, NOGAMI T, NGUYEN S V, HUANG H, SHOBHA H K, LI J, PEETHELA C B, EDELSTEIN D C

Method for fabricating topological semi-metal interconnect, involves forming dielectric layer between interconnects, and forming hermetic cap layer on top of one or more interconnect.

NOGAMI T, NARAYANAN V, LANZILLO N A, CHEN C, RANJILO N A

Graphene-based field effect transistor (FET) fabrication by providing FET comprising channel material (comprising graphene, gate, and contact comprising metal carbide having been formed from carbon material) on substrate.

SLEIGHT J, LAUER I, CHANG J

Battery e.g. rechargeable metal halide battery, contains electrolyte containing ion-conducting salt, which is in contact with anode, cathode and oxidizing gas, and cathode comprising metal halide incorporated into electroconductive material comprising electronegative heteroatom-enriched carbon.

KIM J, FONG A, NA Y, GIAMMONA M, GLOSSMANN T, LEE E

Battery for e.g. electric vehicles has intercalation anode, cathode comprising metal halide incorporated into electrically conductive material, oxidizing gas, and electrolyte in contact with intercalation anode, cathode, and oxidizing gas.

TEK A T, KIM J

Setting of resistance in forming integrated chip, involves applying voltage in device containing barrier layer of material between other material metastable layers, exceeding threshold based on chemical potential difference of material.

TERSOFF J D, KIM S, GERSHON T S, BREW K W

Metal-oxygen battery for e.g. electronic device and medical device, comprises catholyte including carbon black and graphite and/or graphene.

MORENOORTIZ F J A, NA Y, ANSARI Y

Forming vertical metal-air transistor device involves forming precursor stack with stack template on precursor stack on substrate, forming bottom spacer on substrate around precursor stack, and depositing liner casing on precursor stack.

LI J, CHENG K, XIE R, PARK C